تحقیق تأخیر CNTFET با CNT های غیررسوبی…
توضیح مختصر:
دانلود تحقیق با موضوع تأخیر CNTFET با CNT های غیررسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی، در قالب word و در 38 صفحه، قابل ویرایش. چکیده تحقیق: این تحقیق مربوط به عملکرد لوله های نانوکربنی ترانزیستور اثر فیلد (CNTFET) در حضور CNTهایدسته بندی: مهندسی » مهندسی برق و الکترونیک
فرمت فایل دانلودی: zip
فرمت فایل اصلی: doc
تعداد صفحات: 38
حجم فایل:916 کیلوبایت
قیمت: 11400 تومان
دانلود تحقیق با موضوع تأخیر CNTFET با CNT های غیررسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی،
در قالب word و در 38 صفحه، قابل ویرایش.
چکیده تحقیق:
این تحقیق مربوط به عملکرد لوله های نانوکربنی ترانزیستور اثر فیلد (CNTFET) در حضور CNT های غیررسوبی به عنوان نقص می باشد. یک تجزیه و تحلیل مبتنی بر شبیه سازی تنزل تأخیر به دلیل ویژگی های مختلف (مانند کایرالیتی و توزیع CNT معیوب) از ابتدا دنبال شده است. دو راه حل برای کاهش تغییر در تأخیر ارائه شده است. این روشها بر تنظیم عرض دروازه CNTFET توسط لیتوگرافی (و از بین بردن CNTها) به عنوان بخشی از فرآیند ساخت استوار شده است. این دو روش، تأخیر متوسط و انحراف آن را به ترتیب، کاهش می دهد. سپس، تجزیه و تحلیل تأخیر در قالب احتمالات ارائه شد. عملکرد دو روش تنظیم پیشنهادی توسط ویژگی های CNT (مانند کایرالیتی و توزیع نقص)، شبیه سازی و روش های مبتنی بر احتمالات، مورد بررسی قرار گرفته است. توسط شبیه سازی قطعی (احتمالاتی)، اولین روش، به طور متوسط تأخیر را در حدود 6.968% (7.811%) کاهش می دهد؛ در حالی که انحراف، در حدود 32.444% (9.788%) افزایش (کاهش) می یابد. روش دوم، قطعی (احتمالاتی) به طور متوسط، انحراف را در حدود 44.159% (47.476%) با 2.166% (4.409%) کاهش تأخیر، می کاهد.
عبارات و جملات کلیدی
- تحقیق برق
- مقاله برق
- تحقیق الکترونیک
- مقاله الکترونیک
- پایان نامه برق
- پایان نامه الکترونیک
- دانلود تحقیق برق
- دانلود مقاله برق
- دانلود تحقیق الکترونیک
- دانلود مقاله الکترونیک
- دانلود پایان نامه برق
- دانلود پایان نامه الکترونیک
- تحقیق در مورد الکترو
تصادفی
