خلاصه
خوردگی تشدیدی توسط جریان (FAC) یک خط لوله X65در یک آب اشباع از CO2توسط اندازه گیری های الکتروشیمیایی و شبیه سازی محاسباتی دینامیکی جریان (CFD) بر روی میکرو الکترود های نصب شده بر روی یک سیستم جت اصابتی بررسی شده است. مورفولوژی سطح الکترودها بعد از تست خوردگی توسط میکروسکوپ روبشی الکترونی مشخص شد. نتایج اثبات می کند، نقش جریان هیدرودینامیکی در FAC فولاد، به اثر آن بر روی خوردگی کربناتی پوسته تشکیل شده بر روی سطح الکترود بستگی دارد. افزایش سرعت جریان و تنش برشی رقیق کننده، کاهش دهنده یا حتی به صورت کامل پوسته را پاک می کند و خوردگی فولاد افزایش می یابد. برخورد اریب و مایل جریان عموماً افزایش نرخ خوردگی فولاد را نتیجه می دهد. تأثیر زاویه برخورد بر روی خوردگی فولاد به توزیع جریان سیال و تنش برشی بر روی سطح الکترود نسبت داده می شود. در برخورد نرمال یک سرعت جریان کم و تنش برشی و بنابراین نرخ انتقال جرم کم در منطقه مرکزی تولید خواهد شد. نتیجتاً پوسته خوردگی فشرده می تواند بر روی سطح الکترود برای حفاظت فولاد از خوردگی تشکیل شود. بیشترین نرخ خوردگی بر روی میکرو الکترودهایی که در نزدیکی مرکز هستند، با بیشترین سرعت جریان و تنش برشی مشاهده شده است. در زاویه برخورد مایل سرعت جریان سیال و تنش برشی و نرخ خوردگی میکرو الکترودها در مکان های دور از نازل نسبت به نزدیکی نازل بیشتر است. فعالیت خوردگی الکترود فولاد که در مرکز نگه دارنده فولاد قرار دارند عموماً با کاهش زاویه برخورد ناشی از افزایش اثر برش بر روی پوسته خوردگی افزایش می یابد.
کلمات کلیدی: فولاد، EIS، پلاریزاسیون، SEM، خوردگی اسیدی
مقدمه
تصدیق شده است که خوردگی CO2موجب شکست خط لوله ها و ترکیبات ساختاری در محصولات نفتی شده است و نتیجۀ آن ضرر اقتصاد ی و سوانح فاجعه بار همانند آلودگی های محیطی و منابع آبی خواهد شد. خوردگی CO2پیچیده است همراه با یک سری فاکتورهایی که بر فرایند خوردگی فولاد موثر هستند به ویژه جریان هیدرودینامیکی یک نقش با اهمیت تری سرتاسر یک ارتباط پیچیده اندازه حرکت هیدرودینامیکی و انتقال جرم به خوبی پارامترهای جریان که تعریف می کنند خصوصیات جریان عمومی با واکنش های خوردگی فولاد را بازی می کند. عموماً معتقدند که جریان سیال فرایند انتقال جرم را تسریع می کند و تشکیل پوستۀ خوردگی محافظ بر روی سطح فولاد را کاهش می دهد.
تصادفی
مقدمه
ضریب بهره وری زمان تکمیل پروژه و به تبع ان هزینه را تحت تا ثیر قرار می دهد لذا نقش اساسی در انتخاب شدن یا نشدن حفر مکانیزه به عنوان روش حفر بازی می کند. زمان حفر ماشین به کل زمان پروژه یا عملیات روزانه را ضریب بهره وری می گویند.
این ضریب تابعی از شرایط زمین – نوع ماشین – تاسیسات پشتیبانی – مدیریت پروژه و در نهایت تجربه کارکنان است. حاصلضرب نرخ نفوذ در ضریب بهره وری را نرخ پیشروی می گویند. نرخ نفوذ نرخ پیشروی انی ماشین است و از هندسه تونل و ویژگیهای سنگ و پارامترهای ماشین تا ثیر می پذیرد.
تاکنون مدلهای زیادی جهت پیش بینی نرخ نفوذ ارائه شده است و هر کدام تعدادی از پارامترهای موثر را منظور کرده اند. در این مطالعه به پیش بینی نرخ نفوذ بر مبنای تردی در فصل چهارم و بر مبنای نتایج آزمون پانچ در فصل پنجم پرداخته شده است. آزمایشهای زیادی جهت پیش بینی نرخ نفوذ و بهره وری ایجاد شده اند که برخی از آنها در فصل دوم مورد بحث قرار گرفته است. فرایند برش سنگ توسط برش دهنده های
دیسکی – توزیع فشار پیرامون دیسکها و نحوه محاسبه نیروهای وارد بر دیسک در فصل سوم مفصل توضیح داده شده است.
در این مطالعه بر مبنای فاکتور پایداری در تاج تونل و مقاومت سنگ پیشروی پیش بینی شده است و در مورد روشهای پیش بینی CSM و NTH بحث شده است.
تصادفی
مقدمه
با توجه به نفوذ روز افزون سیستم های هیدرولیکی در صنایع مختلف وجود پمپ هایی با توان و فشار های مختلف بیش از پیش مورد نیاز است. پمپ به عنوان قلب سیستم هیدرولیک انرژی مکانیکی را که توسط موتورهای الکتریکی، احتراق داخلی و... تامین می گردد به انرژی هیدرولیکی تبدیل می کند. در واقع پمپ در یک سیکل هیدرولیکی یا نیوماتیکی انرژی سیال را افزایش می دهد تا در مکان مورد نیاز این انرژی افزوده به کار مطلوب تبدیل گردد.
فصل اول درموردتقسیم بندی پمپ هاوآشنایی با انواع پمپ های جابه جایی مثبت وکاربردهای آن ومقایسه پمپ های دینامیکی وجابه جایی مثبت می باشد. فصل دوم به توضیح درموردتوربوپمپ ها، اجزای اصلی آنها، مثلث سرعت، منحنی مشخصه، بررسی پدیده کاویتاسیون، قوانین تشابه پمپها وسری وموازی بستن آنها، بررسی خوردگی درتوربوپمپ هاودرنهایت آشنایی مختصری درموردپمپ های کاربردی درصنعت پرداخته شده است.
تصادفی
خلاصه
مفهوم قرار دادن بی شماری از سیستم های ماهواره ای انرژی خورشیدی (SPS) در فضا، معرف یکی از چند گزینه فناوری جدید می باشد که توان ظرفیت مبتنی بر سلامت زیست محیطی و در مقیاس بالا را در بازارهای جهانی ایجاد می کند. در ایالات متحده مفهوم سیستم های ماهواره ای انرزی خورشیدی (SPS) در سطح گسترده ای در اواخر دهه 70 توسط سازمان انرژی ایالات متحده (DOE) و سازمان ملی هوا فضا (NASA) مورد بررسی قرار گرفت. اخیرا، موضوع انرژی خورشیدی فضایی (SSP) توسط ناسا از سال 1995 تا 1997 در ' مطالعات نگاه تازه' و در طی 1998 در بررسی 'تعریف مفهومی SSP' مجددا مورد بررسی قرار گرفت. در نتیجه چنین تلاش هایی، در سال 1999 تا 2000، برنامه فناوری و جستجوی اکتشافی انرژی خورشیدی فضایی (SERT) را به عهده گرفت که تحقیق و توسعه فناوری راهبردی مقدماتی را برای فعال کردن سیستم های SSP چندمگاواتی و بزرگ و انتقال توان بی سیم (WPT) را برای ماموریت های دولتی و بازارهای تجاری (در فضا و زمین) آغاز کرد. در طی سال های 2001 تا 2002، ناسا، برنامه توسعه فناوری و مفهوم SSP به نام (SCTM) [1] را به همراه برنامه SERT، با تاکید خاص بر روی شناسایی فناوری های جدید و با نفوذ بالا را که امکان پیشرفت عملی بودن سیستم های SERT آینده را ایجاد می کرد، دنبال کرد.
علاوه بر این، در سال 2001، شورای پژوهش ملی ایالات متحده (NRC) ، گزارش مهمی را منتشر کرد که نتایج مرتبط به نقشه راه بررسی های مشترک فناوری و پژوهش راهبردی SSP ناسا را ارائه می داد.
یکی ار فناوری های کلیدی مورد نیاز برای توانمند ساختن کاربرد آینده SSP/SPS در ارتباط با سیستم WPT (فناوری بسته پهنای باند) می باشد. پیشرفت در آنتن ها و رکتانس هذی آرایه ای فازی، پایه های اصلی سیستم WPT تحقق پذیر را ایجاد کرده است. این مولفه های اصلی شامل مبدل dc-RF در فرستنده، سیستم کنترل شعاعی مسیر برگشت و دریافت رکتنا می باشد. هر یک از موضوعات مختصرا مورد بررسی قرار می گیرد، و نتایج حاصل از برنامه SERT که در سیستم SPS 5.8-GHz مورد بررسی قرار گرفته است، ارائه می گردد.
این مقاله، خلاصه ای از نتایج حاصل شده از تلاش های SSP ناسا را به همراه خلاصه ای از وضعیت توسعه فناوری میکروویو WPT، ارائه می دهد.
تصادفی
خلاصه
این مقاله یک تقویت کنندۀ شبه- تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance) ، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-15 dB) ، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات توان مدار 0.96 میکرووات می باشد.
کلمات کلیدی: تقویت کنندۀ شبه تفاضلی، و فیدبک حالت-مشترک، کلاس-AB، اینورتر CMOS
مقدمه
امروزه، یک مدار آنالوگ با کارکرد خوب _عمدتا بسبب پیشرفت ساختن مدار مجتمع فراوان با سیستم های مداری پیچیده، و نیاز به وسایل قابل حمل با منبع باطری_ بایسته شده است. اگرچه، کاهش منبع ولتاژ در مدارات آنالوگ باعث کاهش عملکرد زیادی می شود، و بنابراین، ترفندهای تازه ای برای طراحی نیاز است تا مدارات آنالوگ با پهنای باند، بهره، و خطی بودن کافی را بدست آورد.
تصادفی
مقدمه
الکترو اسپینینگ (برق ر یسی) و به عبارتی استفاده از نیروی برق برای ریسندگی یکی از روش های مهم و گسترده جهت تولید الیاف نانوساختار می باشد. در این روش یک محلول پلیمری داخل سرنگ ریخته می شود و در فاصله 20 سانتی متری از آن، صفحه ای فلزی قرار می گیرد؛ صفحه به زمین ثابت می گردد و سرنگ روی پمپ قرار گرفته و سوزن آن به منبع تغذیه با ولتاژ بالا وصل می شود، محلول با دبی پایین به سمت سر سرنگ رفته و هنگامیکه، ولتاژ بین 30-5 کیلووات اعمال می شود، قطره به صورت جت در آمده، در طول مسیر کشیده می شود و پس از تبخیر شدن حلال به صفحه فلزی برخورد می کند و سپس به صورت الیاف نانوساختار از صفحه فلزی جمع آوری می شوند.
الیاف نانو ساختار در تمامی علوم و زمینه ها کاربردهای فراوانی دارد مثلاالیاف نانوساختار در فیلتراسیون، نانوکاتالیست ها و در مهندسی بافت به عنوان داربست برای رشد سلول مورد استفاده قرار می گیرندکه در فصل های آینده به توضیح مفصل آنها می پردازیم.
پس از تولید نانوالیاف به روش معمول الکترواسپینینگ، پارامترهای مختلف فرایندی (ولتاژ، دبی محلول و...) ، محیطی (دما و رطوبت محیط) و محلول (رسانایی ویسکوزیته و...) را بر یکنواختی و قطر آنها بررسی می شودکه هدف، ایجاد شرایطی برای تولید الیاف با یکنواختی زیاد و قطر کم بوده و در این راستا اثر کشش سطحی و رسانایی الکتریکی محلول بر یکنواختی و قطر الیاف به طور دقیق مورد مطالعه قرار می گیرد. نتایج حاکی از آن بود که رسانایی الکتریکی محلول اثر بسیار خوبی در یکنواختی الیاف دارد به طوری که 'مثلا اضافه کردن نمک کلرید لیتیم به محلول پلی استایرن در حلال DMF یکنواختی الیاف تولیدی را تا حد قابل توجهی بالا می برد، در عین حال قطر الیاف افزایش می یابد که با توجه به یکنواختی بالا در محصول به دست آمده در عوض امکان استفاده از محلول با غلظت کمتر فراهم می گردد. همچنین با کم کردن کشش سطحی تا حد مشخصی، یکنواختی محصول بالا می رود'. هم اکنون تحقیقات وسیعی در زمینه کاربرد این الیاف در مهندسی مواد در حال انجام است.
تصادفی
خلاصه
جنبه های مختلف سیستم های نانو، نقش مهمی را در فناوری و دانش نانو ایفا میکند. در ساختارهای نانویی با فرمت ماکروسکوپی OD (OD - نانو کریستال) ، D 1 فرمت ماکروسکوپی (ID - نانو سیم ها) ، و یا پسوند های ماکروسکوپی (2بعدی 2بعدی - لایه های نانو) ، خواص جدید در مقایسه با سیستم های توده ای ماکروسکوپی به خاطر conlincment کوانتومی، شارژ کوانتوم، طول تبادل مغناطیسی، و غیره بوجود می آیند. در مورد سیستم های نیمه رسانا، نانو ساختارهایی با ابعاد مختلف هستند که اغلب به نام نقاط کوانتومی، سیم های کوانتومی، و دیواره های کوانتومی خوانده میشوند. اثرات ابعاد نانو ساختارها با برخی از ویژگی های نمونه در فصل (1) معرفی شده اند و مرتبط با سنتز نشان داده شده اند. در فصل حاضر، برخی ویژگی های عمومی نانو کریستال ها، نانو سیم ها و لایه های نانو مورد بحث قرار گرفته اند. این اثرات بعدا در سیستم های کربنی در فصل 5 و در بحث نانو مغناطیس در فصل 8 از سر گرفته شده اند.
4.1 کریستال های نانو
نقاط نانو در هر سه مسیر فضایی نشان داده میشوند و ابعاد نسبت به طول موج DC Broglic در حامل های بار کوچکتر هستند. نقاط نانوی نیمه رسانا اغلب در یکی دیگر از ماتریس های نیمه رسانا دی الکتریک تعبیه شده است. نقاط کوانتومی ممکن است ترکیباتی نوآورانه را برای پردازش اطلاعات کوانتومی، رمزنگاری کوانتومی، یا ذخیره سازی داده های ترکیبی فلش DRAM / را ارائه کند. در تعداد زیا د (میلیارد) , آنها ممکن است ترکیبات الکترونیک نوری، لیزر و یا آمپلی فایر، و سیستم های جدید فن آوری ارتباطاتی را برای لوازم الکترونیکی مصرفی، و یا با دقت بالا اندازه گیری دقیق را تشکیل دهد.
4.1.1 سنتز نانو کریستال
برخی ویژگی های خاص تر از سنتز نانو کریستال در فصل. 3مورد بحث قرار خواهد گرفت. دانه های فلزی به عنوان کاتالیزور برای ترکیبات نیمه رسانا در حال رشد و یا نانوسیمهای اکسید سیتر در فاز گازی, با استفاده از مکانیزم بخار مایع جامد، و یا از طریق محلول مایع جامد در محلول مورد استفاده قرار گرفته اند. هنگامی که از مکعب های نانو به عنوان دانه برای رشد PT-PD مکعب های دو هسته پوسته فلزی نانو استفاده میشود، می توان نشان داد که نسبت های رشد در امتداد مسیرهای کریستال خاص می تواند با کنترل غلظت NO2 در اتمسفر متفاوت باشد. با افزایش غلظتهای NO2., اکتاهدرای یا cuboctahcdra می تواند رشد کند. علاوه بر این، عدم تطابق مکعب در این نوع از رشد epitaxial بسیار مهم است
تصادفی
خلاصه
در این مقاله، کنترل تولید خودکار چند-واحد چهار-ناحیه ای، در سیستم تجدید ساختار شده، بررسی می شود. انواع مختلفی از خدمات جانبی در سیستم قدرت، وجود دارد. یکی از این خدمات جانبی، تبعیت بار با کنترل فرکانس می باشد، که در دسته بندی گسترده کنترلِ تولید اتوماتیک، در سیستم قدرت تجدید ساختار شده، قرار می گیرد. هدف اصلی این مقاله، معرفی چند تکنیک تازه مبتنی بر محابسه تکاملی می باشد که بصورت مستقل برای بدست آوردن پارامترهای بهره بهینه برای عملکردهای گذرای بهینه تحت شرایط عملیاتی مختلف سیستم، بکار می روند. نتایج محاسباتی و عملکردهای گذرا، مقایسه می شوند تا در پایان، بهترین روش بهینه سازی برای این مساله، بدست آید. با انجام مقایسه ها، ثابت شده است که یک الگوریتم جدید مبتنی بر تجمع ذرات، بنام بهینه سازی تجمع و بی نظمی اصلاح شده (MCASO) ، و الگوریتم ژنتیک با کد حقیقی (RGA) ، بهترین آنها می باشند. PSO مرسوم و الگوریتم ژنتیک با کد باینری (دودویی) ، دو تکنیک بعدی می باشند که عملکردهای زیربهینه را بدست می دهند. یک DISCO (شرکت توزیع) می تواند بصورت انفرادی و نیز چند-جانبه با یک GENCO (شرکت تولید کننده) برای توان معامله کند، و این معاملات، تحت نظر ISO صورت می پذیرند. در این مقاله، از مفهوم ماتریس مشارکت DISCO برای شبیه سازی معامله های دو-جانبه در نمودار چهار-ناحیه ای، استفاده شده است. مقادیر محاسبه شده مشارکت ژنراتور و مبادلات توان خط ارتباطی، مطابق با مقادیر حقیقی مربوطه که توسط MATLAB-SIMULINK بدست آمده است، می باشد. پاسخ های گذرای بهینه، با جایگزین کردن بهره های بهینه در دیاگرام چند-واحد چهار-ناحیه ای مبنی بر MATLAB-SIMULINK، بدست می آیند.
کلمات کلیدی: AGC، BGA، قراردادهای (معاملات) دوجانبه، MCASO، PSOCFA، سیستم قدرت تجدید ساختار شده، RGA، SFL.
تصادفی
خلاصه
تکنیک ISSR، یک روش مبتنی بر PCRاست که شامل تکثیر یک قطعه DNA حاضر در فاصله تکثیر پذیر میان دو ناحیه تکراری ریز ماهواره منحصر به فرد با جهات مخالف می باشد. این تکنیک، معمولا از میکروساتلیت ها (ریزماهواره های) با طول16-25 bp، بعنوان پرایمر یک واکنش تک پرایمری که لوکوس های چندگانه ژنومی را برای تکثیر توالی های بین ریزماهواره ای با اندازه های مختلف، هدف می گیرد بهره می برد. تکرارهای ریزماهواره مورد استفاده بعنوان پرایمر، می توانند دو، سه، چهار یا پنج نوکلئوتیدی باشند. پرایمرهای مورد استفاده می توانند به هر نقطه ای از DNA متصل شوند اگرچه معمولا در انتهای 3’ یا 5’خود به یک تا چهار باز متصل بوده و براساس آنها، گسترش می یابند (شکل 1).
مقدمه
این تکنیک بیشتر مزایایAFLP و ریزماهواره را با جامعیت رپید ترکیب کرده است. تکرارپذیری بالایISSRs احتمالا به سبب استفاده از پرایمرهای طولانی تر (16–25 mers) در مقایسه با پرایمرهای کوتاهتر رپید (10- mers) می باشد که این امر امکان استفاده از دمای بالای اتصال (45 الی 60 درجه سانتیگراد) را فراهم می کند که منجر به افزایش احتمال اتصال پرایمر به نقاط مشخصی از DNA (تکرار پذیری بیشتر) می شود. مطالعات در مورد تکرار پذیری نشان می دهد که تنها ضعیف ترین باندها تکرار پذیر نیستند. در حدود 95-92 درصد قطعات امتیاز داده شده می توانند در طول نمونه های DNA رقم و در طول دوره های مجزای PCR تکرار شوند وقتی با استفاده از پلی اکریل آمید شناسایی شدند. 10 نانوگرم DNA الگو، همان محصولات تکثیری را که 25 و یا50 نانوگرمDNA الگو در هر 20 میکرولیتر PCR تولید می کنند، تولید خواهد کرد. دمای اتصال به درصد پرایمر مورد استفاده بستگی دارد و معمولا از 45 تا 65 درجه سانتیگراد است.
تصادفی
موضوع: گزارش کارآموزی آشنایی با تاسیسات الکتریکی (فایل word قابل ویرایش)
بخش اول: آشنایی با تاسیسات الکتریکی
آشنایی با جریان سه فاز
جریان سه فاز در مداری که سیم بندی القاء شونده آن (آرمیچر) از سه دسته سیم پیچ جدا که هر کدام نسبت به هم ۱۲۰ درجه الکتریکی اختلاف فاز دارند تهیه می شود.
انواع اتصال در سیستم سه فاز
در سیستم سه فاز معمولاً از سه نوع اتصال استفاده می شود:
الف- اتصال ستاره
ب- اتصال مثلث
ج- اتصال مختلط
-محاسبه جریان و ولتاژ در اتصال ستاره
همانطور که می دانیم در اتصال ستاره اختلاف سطح هر فاز با سیم نول ولتاژ فازی (UP) و اختلاف سطح هر فاز با فازی دیگر ولتاژ (Ul) را تشکیل می دهند. مقدار ولتاژ خط از مجموع دو ولتاژ فازی بدست می آید. به همین جهت برای بدست آوردن مقدار Ul باید برآیند دو ولتاژ فازی را رسم و مقدار آن را محاسبه نماییم.
تصادفی
خلاصه
بیخوابی اولیه (بیخوابی اولیه (PI) ، حالت شایعی از بیماری های خواب می باشد که عملکرد روزانه را مختل می سازد، کیفیت زندگی را کاهش می دهد و هزینه ها و کاربرد درمانی را برای میلیون ها فرد در سراسر جهان افزایش می دهد. در حالیکه درک کمتری از پاتوفیزویولوژی بیخوابی اولیه (PI) وجود دارد، به میزان گسترده ای قابل قبول می باشد که میزبان عوامل شناختی و رفتاری، نقش های مهمی در دائمی ساختن این شرایط ایفا می کند. همچنین، درمان شناختی- رفتاری، چند عاملیCBT)) به صورت درمان انتخابی برای مدیریت شکایت های خواب/بیداری مبتلایان به بیخوابی اولیه (PI) می باشد. این مقاله به برررسی ماهیت و مزیت های نسبی درمان شناختی- رفتاری ((CBT برای درمان بیماران بیخوابی اولیه (PI) می پردازد. بعلاوه، این مقاله به مرور بررسی های حمایت کننده از کارایی و تاثیربخشی بالینی درمان شناختی- رفتاری (CBT) برای درمان شاکی یان بیخوابی اولیه (PI) می پردازد. مباحث مربوط به اجرای درمان و همچنین فاکتورهایی که واکنش های بیماران را نسبت به درمان شناختی- رفتاری (CBT) متعادل می سازند و پیش بینی پیامد یا پذیرش درمان نیز مورد بررسی قرار می گیرند. در نهایت، سوال های باقیمانده در مورد کاربرد درمان شناختی- رفتاری (CBT) در بیخوابی اولیه (PI) مورد بررسی قرار می گیرند و پیشنهاداتی برای تحقیقات آتی ارائه می گردد.
تصادفی
خلاصه
هدف این تحقیق، بحث پیرامون گرایشات نوین در تکنولوژی و طراحی آموزشی (IDT) است.
پیشروی در این زمینه از جنگ جهانی دوم، آغاز شد و از آن به بعد، تعاریف مختلفی مثل طراحی آموزشی (ID) و یا تکنولوژی آموزشی (ET) ، مورد استفاده قرار گرفت. هدف ما این است، که بدانیم چرا، تعاریف متعددی برای یک کلمه ساده وجود دارد. و دیدگاه دانشمندان مختلف را در این رابطه مورد بررسی قراردهیم. بنابراین بسیاری از تعاریف، مفاهیم و استراتژی ها، برای آموزش دهندگان، مربیان و دانش آموزان در مدارس و مراکز بازرگانی صنعتی در آینده تعریف خواهد شد.
کلمات کلیدی: طراحی سیستم آموزشی، طراحی اموزشی، تکنولوژی آموزشی، راهکارهای جدید در IDT و تاریخچه IDT
مقدمه
کلیه معلمان و آموزشگرهایی که در فرآیند طراحی آموزشی دخیل می باشند در واقع در این زمینه و در مقاطع مختلف سنی تدریس می کنند، این تحقیق بحث و بررسی می کند که چطور تعریف طراحی آموزشی (ID) در طول سالها تغییر کرده و تعاریف مورد قبول در فرایند آموزشی را ارائه می دهد. دو دیدگاه برای بررسی این تغییرات وجود دارد. اولین دیدگاه این است که درک خود تعاریف بسیار حایز اهمیت می باشد و دومین اینکه لازم است به این نکته توجه کنیم که نام واقعی رشته تحصیلی بوسیله متخصصان مختلف، تغییر داده شده است. طراحی آموزشی (ID) ، در معنای دیگر، با عبارت های زیر مورد استفاده قرار می گیرد:
آموزش صوتی تصویری، ارتباطات صوتی تصویری و تکنولوژی آموزشی.
تصادفی